人物利用英特尔开发的每秒万亿次级研究芯片深入嵌入式开发书籍的世界

在2006年秋季的英特尔信息技术峰会（IDF）上，公司的高级院士与首席技术官Justin Rattner指出，随着大型数据中心支持超过一百万台服务器而兴起，以及对高性能个人设备需求的增长，网络软件服务预计将在接下来的十年内使人们能够从任何一台高性能设备中获取个人数据、媒体和应用，还能运行全真图片游戏、分享实时视频资料并进行多媒体数据挖掘。这种全新的使用模式要求工业计算能力达到每秒万亿次浮点运算，并带宽达到万亿字节。

"随着大型数据中心崛起以及对高性能个人设备需求的大幅增加，产业创新必须体现在从多核处理器到系统间高速通信等众多层面，同时提供更好的安全性和更高的能效表现," Rattner说。"解决这些挑战将为所有计算设备带来好处，同时为开发商和系统设计师创造新的市场机会。"

Rattner概述了硅技术三个主要突破。一是英特尔开发的每秒万亿次级研究原型硅片，这是世界上第一个可编程，每秒执行过万亿次级浮点运算的处理器。这款实验性的芯片包含80个单核核心，以3.1Ghz运行速度测试快速传输千兆字节数据时之间核与核之间及核与内存之间互连策略。

"当我们把这些最新取得在光子学领域的小成果联系起来，这些实验性的芯片实际上解决了实现三项关键要求——每秒执行过万亿次运算（teraOPS）的性能、每秒千兆字节内存带宽以及I/O能力——所需的一切," Rattner说。"尽管这些技术未来的任何商业应用都将是在几年后的事情，但要把这样的性能带给电脑和服务器，这确实是一个令人激动人心的第一步。"

现有的晶体管排列方式仅仅依赖于单一排列，而这一次却包括80层8×10块阵列晶体管。在每一层中，都有一个微小核心或计算单元，它们以简单指令集来处理浮点数但不兼容英特尔架构。而且，每层还包含一个路由，将核心连接到片上的网络，使得它们能够读写内存。

第二个主要创新是20M字节SRAM内存芯片，与处理器硅晶片堆叠并连接，可以通过数千个相互连接提供超过千兆字节/秒储忆带宽。

Rattner展示了第三个重要进展，即最近与加州大学圣巴巴拉分校合作研发混合硅激光（Hybrid Silicon Laser）芯片。这项突破使得数十甚至数百根混合硅激光可以与其他硅光子学部件一起集成到一个单独的硅芯片上，从而可能实现每秒1Tbps以上光学连接，在计算机内部不同芯片间、不同的计算机间乃至不同服务器间加速大量数据传输工作。此类技术虽然未来尚待商业化，但其潜力巨大，为提升现代电子产品功能提供了一条前瞻性发展路径。