人物利用英特尔开发的每秒万亿次级研究芯片探讨嵌入式开发与软件开发的区别

在2006年秋季的英特尔信息技术峰会（IDF）上，公司的高级院士与首席技术官Justin Rattner指出，随着大型数据中心支持超过一百万台服务器而兴起，以及对高性能个人设备需求的增长，网络软件服务预计将在接下来的十年内使人们能够通过任何一台高性能设备访问个人数据、媒体和应用，同时运行全真图片游戏、分享实时视频资料并进行多媒体数据挖掘。这种全新的使用模型要求业界提供每秒万亿次浮点运算和万亿字节带宽的计算能力。

"随着大型数据中心崛起以及对高性能个人设备需求的提升，产业创新必须涵盖从多核处理器到系统间高速通信等众多层面，同时提供更好的安全性和能效表现", Rattner说。"解决这些挑战将为所有计算设备带来益处，并为开发商和系统设计师开辟新市场、新机会。"

Rattner总结了硅技术三个主要突破：首先是英特尔开发的一款可编程每秒万亿次级浮点运算处理器，这是一款实验性的芯片，它包含80个单核核心，每个核心运行频率达3.1Ghz，其目的是测试核与核之间及核与内存之间快速传输时互连策略。

"当我们把这项工作联系起来最近取得的硅光子学进展时，这些实验性的芯片几乎实现了满足万亿次级计算三大要求——每秒执行百兆次浮点运算、每秒传输百兆字节内存带宽以及每秒完成百兆比特I/O操作", Rattner解释道。"尽管这些技术尚未商用，但将其性能引入电脑和服务器中，这无疑是令人振奋的一步。"

现有的芯片设计仅仅利用数以亿计晶体管进行排列，而这一研究原型硅片采用了80层8×10块阵列晶体管设计，每一层都包括一个微小核心或计算单元，以简单指令集处理浮点数据，不兼容英特尔架构。此外，每一层还包括一个路由，将核心连接至片上网络，该网络使得所有核心可以相互读写内存。

第二个主要创新是在20M字节SRAM内存芯片与处理器硅晶片堆叠并连接，使得两者之间数千相互连接成为可能，在存储器与处理核心之间提供超过每秒百兆字节带宽。

最后，Rattner展示了第三个重大突破，即与加州大学圣巴巴拉分校研究人员合作研发混合硅激光（Hybrid Silicon Laser）芯片。这项突破使得数十甚至几百件混合硅激光可以集成到单一硅芯片上，从而可能实现每秒百兆比特光学连接，加速计算机内部各部分、不同电脑乃至跨越整个数据中心服务器间的大量数据传输。