英特尔研发万亿次级研究芯片适用于嵌入式应用系统赋能人物智能生活

在2006年秋季的英特尔信息技术峰会（IDF）上，公司的高级院士与首席技术官Justin Rattner指出，随着大型数据中心支持超过一百万台服务器而兴起，以及对高性能个人设备需求的增长，网络软件服务预计将在接下来的十年内使人们能够通过任何一台高性能设备来获取个人数据、媒体和应用，还能运行全真图片游戏、分享实时视频资料并进行多媒体数据挖掘。这种全新的使用模式要求计算能力达到每秒万亿次浮点运算，并带宽达到万亿字节。

"随着大型数据中心崛起以及对高性能个人设备需求的增加，产业创新必须涵盖从多核处理器到系统间高速通信等众多层面，同时提供更好的安全性和能源效率表现," Rattner说。"解决这些挑战将为所有计算设备带来好处，并为开发商和系统设计师创造新市场、新机会。"

Rattner总结了硅技术三个主要突破：第一是英特尔研发的每秒万亿次级研究原型硅片，这是世界上第一个可编程，每秒执行过万亿次级浮点运算的处理器。这款实验性的芯片包含80个单核核心，以3.1Ghz运行速度测试快速传输千兆字节数据时之间核与核之间及核与内存之间互连策略。

"当我们把这与最近在光子学领域取得的一些突破联系起来，这些实验性芯片可以说已经实现了满足三项关键要求——每秒执行过万亿次运算（teraOPS）的性能、每秒千兆字节内存带宽以及I/O能力中的千兆比特—-虽然这些技术未来的商业应用还远，但要将这样的性能引入计算机和服务器中，这无疑是一个令人激动人心的开始。"

现有的晶体管排列方式只用一次，而这个设计则采用了80层8×10阵列晶体管，每一层包括一个微小核心或计算单元，以简单指令集处理浮点数但不兼容英特尔架构；同时，每层也包括路由，将核心连接到片上网络，该网络让核心能够读写内存，使它们彼此连接。

第二个重大创新是一块20M字节SRAM内存芯片，它堆叠于处理器硅晶片之上，与其连接，使得数千相互连接成为可能，在记忆体与处理核心之间提供超越千兆字节/秒带宽。

最后，Rattner展示了第三项重要进展，即最近发布的一种混合硅激光（Hybrid Silicon Laser）芯片，与加州大学圣巴巴拉分校合作研发。这项科技突破使得数十甚至数百混合硅激光可以集成到一个单一硅芯片上，有可能实现每秒千兆比特光学连接，在电脑内部、电脑之间乃至大型数据中心服务器之间加速传输大量信息。